首先，什么是IGBT
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離，具有出色的器件性能。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優點，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內。廣泛應用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領域，在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。
第二、變頻器IGBT爆炸原因
由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現意外就會使它損壞。使用過程中，經常受到容性或感性負載、過負荷甚至負載短路的沖擊等，導致IGBT損壞甚至爆炸（模塊的損耗十分巨大，熱量散不出去，導致內部溫度極高，產生氣體，沖破殼體，這就是所謂的IGBT爆炸）。珠峰小編主要將他們為四類原因：
內部因素：
從爆炸的本質是發熱功率超過散熱功率，內部原因應該就是過熱。
人為因素
進線接在出線的端子上
變頻器接錯電源
沒按要求接負載
常見原因
過電流：一種是負載短路，另一種是控制電路處邏輯受干擾，導致上下橋臂元件直通。
絕緣的損壞
過電壓：通常是線路雜散電感在極高的di/dt作用下產生的尖峰電壓而造成，解決的辦法就是設計高性能吸收回路，降低線路雜散電感。
過熱：IGBT不能完全導通，在有電流的情況下元件損耗增大，溫度增加導致損壞。
通訊誤碼率：通訊一段時間后，突然的錯誤信息導致IGBT誤導通使IGBT爆炸;通訊板FPGA程序運行不穩定導致IGBT誤導通使IGBT爆炸。
其他原因
電路中過流檢測電路反應時間跟不上。
IGBT短路保護是通過檢測飽和壓降，而留給執行機構的時間一般是10us(8倍過流)在上電的時候容易燒預充電電阻和制動單元里的IGBT。
工藝問題：銅排校著勁、螺絲擰不緊等。
短時大電流：原因也有很多，比如死區沒設置好、主電路過壓、吸收電路未做好。
驅動電源也是個應該特別注意的問題，該隔離加隔離、該濾波加濾波。
電機沖擊反饋電壓過大導致IGBT爆炸。但對于充電時爆炸的情況發生的概率不是很大。
電機啟動時，輸入測電壓瞬間跌落，電容放電。輸入測電壓恢復后電容充電時的浪涌電流過大致使IGBT爆炸。
第三、變頻器IGBT保護措施
一般我們從過流、過壓、過熱三方面進行IGBT保護電路設計。IGBT承受過電流的時間僅為幾微秒，耐過流量小，因此使用IGBT首要注意的是過流保護。IGBT的過流保護可分為兩種情況：(1)驅動電路中無保護功能，我們可以在主電路中要設置過流檢測器件；(2)驅動電路中設有保護功能，由于不同型號的混合驅動模塊，其輸出能力、開關速度與du/dt的承受能力不同，使用時要根據實際情況恰當選用。對于大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護則可以通過封鎖驅動信號或者減小柵壓來進行保護。其實過壓保護，盡可能減少電路中的雜散電感；采用吸收回路，當IGBT關斷時，吸收電感中釋放的能量，以降低關斷過電壓；適當增大柵極電阻Rg。最后是IGBT過熱保護，一般是采用散熱器(包括普通散熱器與熱管散熱器)，并可進行強迫風冷。
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